台积电作为芯片制造技术最先进的厂商，很多国家和地区都主动邀请台积电建厂，但台积电基本上都拒绝的。
芯片规则修改后，台积电开启了全球建设模式，先在美投资亿美元，建设5nm芯片生产线；随后在日本投资70亿美元建厂，并有意在欧洲、印度等地区建厂。
9月份，台积电扩大美建厂规模的消息不胫而走，因为台积电在美购买的土地，足够建设5座晶圆工厂。刘德音也表示，不排除在美建设更多工厂的可能。
关键是，台积电已经计划提升在美工厂的产能，将月产能2万片提升到2.2万片，并计划在该工厂旁，投资十几亿美元建设一座高精端晶圆工厂。
台积电有意扩大在美建厂规模，台积电创始人张忠谋公开表态，台积电在美建厂必败，原因是在美建厂成本高，缺少相关产业链和芯片人才。
随后力积电董事长也表态支持张忠谋的观点。
*崇仁认为台积电凭借成本和供应链优势，芯片制造成本相低，但在国际上售价高，获得的利润又支持了先进工艺的研发，在美建厂会导致这些优势不再。
面对如此之多的反对声音，台积电仍继续在美建厂，并有意扩大在美建厂的规模，对此，就外媒表示刘德音去意已决，因为以下几点。
首先，台积电六成营收都来自美芯订单，尤其先进工艺的芯片，仅7nm以下工艺就给台积电贡献了超50%的营收，而这些订单基本都是来自美企。
美已经明确要求更多芯片在本土制造，如果台积电不在美建厂，失去这些订单的概率很大。
因为三星大规模在美投资建厂，并且直接建设了3nm芯片生产线；英特尔也宣布进入晶圆代工领域，并计划投资亿美元建厂。
关键是，除了美芯企业，其它厂商几乎没有这么大的先进芯片的代工需求。
其次，台积电的芯片制造技术全球领先，但三星紧跟其后，两者在技术方面，几乎是不分伯仲。但在3nm芯片上，三星似乎处于上风。
因为三星已经量产了3nm芯片，台积电3nm芯片仍没有量产的准确消息。
另外，三星在3nm芯片采用GAA工艺，年就将量产，性能芯片提升21%，功耗降低45%，台积电仍采用传统工艺量产3nm芯片，性能、功耗提升仅次之。
虽然台积电也在研发GAA工艺，但到年才会使用，时间明显晚于三星。
关键是，ASML的NAHighEUV光刻机，也可能会优先出货给三星，这可能会导致台积电在芯片工艺方面被三星超越。
台积电赴美建厂，自然是想获得更先进的技术，从而保证在技术领先，否则，被三星超越后，还会丢失一部分订单。
最后，美已经修改新的规则，不仅要求更多芯片在本土制造，还要求不能在内地建厂，否则，就无法获得相应的补贴、半导体设备等。
台积电赴美建厂，并计划建设更多的工厂，目的是为了获得更多补贴，降低建厂成本。
美光都明确表示，其宣布在美建厂，投资规模远超自身的能力，目的就是为了获得更多的补贴。
多种因素导致下，台积电才继续扩大建厂规模，所以外媒才说刘德音去意已决。